碳化硅是由美國人艾奇遜在1891年電熔金剛石實驗時，在實驗室偶然發(fā)現(xiàn)的一種碳化物，當(dāng)時誤認為是金剛石的混合體，故取名金剛砂，1893年艾奇遜研究出來了工業(yè)冶煉碳化硅的方法，也就是大家常說的艾奇遜爐，一直沿用至今，以碳質(zhì)材料為爐芯體的電阻爐，通電加熱石英SIO2和碳的混合物生成碳化硅。
　　碳化硅的發(fā)展歷史：
　　1905年 初次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅。
　　1907年 首只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生。
　　1955年 理論和技術(shù)上重大突破，LELY提出生長高品質(zhì)碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料。
　　1958年 在波士頓召開初次世界碳化硅會議進行學(xué)術(shù)交流。
　　1978年 六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進行研究。到1978年采用“LELY改進技術(shù)”的晶粒提純生長方法。
　　1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生產(chǎn)線，供應(yīng)商開始提供商品化的碳化硅基。